Вчені, що займається розробкою резистивной пам'яті, повідомила про те, що їй вдалося створити ReRAM-масиви на 300-міліметрових пластинах з використанням 28-нанометрового техпроцесу. Така технологія дозволить істотно підвищити щільність пам'яті.
ReRAM-масиви можуть бути використані для ІІ-систем, систем автономного водіння, 5G і сучасних процесорів Інтернету речей (IoT). Відзначимо, що раніше використовувався 40-нанометровий техпроцес. Тепер, коли вдалося досягти показників в 28 нм, стало можливим збільшення щільності пам'яті - в 4 рази.
28-нм масиви ReRAM реалізовані з використанням невеликого і енергоефективного комутаційного пристрою", - йдеться в релізі. "Тестування ReRAM Weebit з одним транзистором і одним резистором (1T1R) масиви, вбудовані в 28-нанометровий повністю збіднений кремній на ізоляторі (FDSOI), довели свою надійність, витривалість і збереження даних, поряд з іншими параметрами якості, ще на стадії виробництва".
